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TI超小型FemtoFETMOSFET支持最低导通电阻消费电子万芳

发布时间:2020-02-14 11:17:23 阅读: 来源:煎药机厂家

TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低导通电阻 - 消费电子 - 电子工程网

三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA) 封装,与芯片级封装 (CSP) 相比,其可将板积空间锐减 40%。CSD17381F4 与 CSD25481F4 支持不足 100 毫欧的导通电阻,比目前市场上类似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超过 4000V 的人体模型 (HVM) 静电放电 (ESD) 保护。点击这里观看视频。

部件号通道BVdssVgs典型导通电阻(欧姆)Id(Ta = 25°C 时)(V)(V)1.8V2.5V4.5V(A)CSD17381F4N3012160110903.1CSD17483F4N30123702402001.5CSD13381F4N1283101701402.1CSD25481F4P-20-1239514590-2.5CSD25483F4P-20-12580338210-1.6CSD23381F4P-12-8480250150-2.3

FemtoFET MOSFET 归属 TI NexFET 功率 MOSFET 产品系列,该系列还包括适用于手机等便携式应用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大电流低压降 (LDO) 线性稳压器以及 TPS65090 前端电源管理单元 (PMU) 等各种系列的电源管理产品,可为手持应用节省板级空间,降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性与优势

不足 100 毫欧的导通电阻比类似器件低 70%,可节省电源,延长电池使用寿命;

FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封装比标准 CSP 小 40%;

1.5A 至 3.1A 的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比,可提供超过 2 倍的性能。

供货情况

FemtoFET MOSFET 器件现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商进行订购。

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